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爱思开海力士申请半导体装置及存储器装置专利，提高半导体装置性能
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2025-09-29【游戏攻略】50人已围观
简介金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及存储器装置”的专利，公开号CN118888537A，申请日期为2019年12月。专利摘要显示，本申请涉及半导体装置及存储器装置。根据本公开的实施方式的半导体装置可以包括：层叠结构，其包括交替层叠的多...
金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及存储器装置”的专利，公开号CN118888537A，申请日期为2019年12月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置及存储器装置。根据本公开的实施方式的半导体装置可以包括：层叠结构，其包括交替层叠的多个第一导电图案和多个电介质层，层叠结构具有使得第一导电图案中的任何一个比紧接着位于其上方的第一导电图案进一步突出的阶梯结构；多个第二导电图案，其分别形成在第一导电图案的突出部上方；多个接触插塞，其分别与多个第二导电图案交叠，并且穿过交叠的第二导电图案和层叠结构；以及密封层图案，其插置于第一导电图案和接触插塞之间并且将第一导电图案与接触插塞分离开。
本文源自金融界
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